현재 SiC 웨이퍼는 다이오드나 트랜지스터 등 반도체 디바이스의 제조에 이용되고 있는 실리콘 웨이퍼에 비해, 디바이스에서의 전력 변환 손실을 절반 이하로 억제할 수 있다.
또 내전압성이나 내열성도 뛰어나기 때문에 태양광 발전이나 자동차(EV/HEV) 등 고전압·고온으로 사용되는 전력용 전자공학 분야에 적절한 재료이다.
이런 특성을 가지는 SiC 웨이퍼를 이용한 파워 반도체 디바이스가 폭넓게 사회에 보급되면, 각 분야에 있어서 대폭적인 전력 손실 저감을 실현할 수 있어 에너지 절약, CO2 삭감에 큰 효과가 기대되고 있다.
현재 시판되고 있는 고품질 SiC 웨이퍼는 3인치와 4인치 구경이 주류를 이루고 있다.
SiC 웨이퍼의 6인치화에 의해 현재 상품화되고 있는 가전용 인버터, IT용 전원, 태양광 발전용 파워 컨디셔너용 SiC 디바이스의 생산 효율이 향상돼 디바이스의 제조비용 저하가 기대된다.
이 때문에 6인치 SiC 웨이퍼는 지금까지 일본 경제산업성 국가 프로젝트에서도 에너지 절약 기술을 기간으로 하는 산업 경쟁력 강화를 추진하는 차세대 재료로서 연구 개발이 진행돼 왔다.
<원문 및 출처: www.nsc.co.jp>
*상기 기사는 에너지코리아뉴스의 자매지 월간<CEO ENERGY> 2012년 1월호에 게재됐습니다.
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