상단영역

본문영역

하이닉스, 40나노 2Gb DDR3 인텔 인증

하이닉스, 40나노 2Gb DDR3 인텔 인증

  • 기자명 뉴스토마토
  • 입력 2009.11.20 09:39
  • 0
  • 본문 글씨 키우기
이 기사를 공유합니다

 
[뉴스토마토 손정협기자] 하이닉스반도체는 40나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램이 인텔 인증을 획득했다고 20일 밝혔다.
 
인텔 인증은 인텔 기반의 컴퓨팅 시스템에서 D램이 정상적으로 동작하고 호환성을 갖는지 검증하는 것으로, 인증이 완료된 제품에 한해서만 인텔의 기술지원을 받을 수 있다.
 
인증받은 제품은 2Gb DDR3 D램 단품, 노트북용 4기가바이트(GB) 모듈(SODIMM), 데스크탑용 2GB 모듈(UDIMM)이다.
 
이번 달부터 양산이 시작된 이들 제품은 40나노급 미세공정 기술을 적용, 기존 50나노급에 비해 생산성을 60% 이상 높였고, 1.5V또는 1.35V 저전압과 1333Mbps의 데이터 전송 속도를 구현했다. 전력소모는 50나노급 보다 40% 가량 줄었다.

 
김지범 하이닉스 마케팅본부 전무는 “현재 시장의 주력 제품은 1Gb에서 서버 중심의 2Gb로 빠르게 전환되고 있다”며 “연내에 서버용 모듈(RDIMM) 제품도 인증을 완료해 1Gb 및 2Gb 제품 모두에서 업계 최고 성능을 확보할 것”이라고 말했다.
 
하이닉스는 내년말까지 DDR3 비중을 전체 D램 생산량의 70%까지 확대하는 한편, DDR3 중 2Gb 제품 비율을 40%로 높일 계획이다.
 

뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com

- Copyrights ⓒ 뉴스토마토 (www.newstomato.co.kr) 무단 전재 및 재배포 금지 -
저작권자 © 에너지코리아뉴스 무단전재 및 재배포 금지

개의 댓글

0 / 400
댓글 정렬
BEST댓글
BEST 댓글 답글과 추천수를 합산하여 자동으로 노출됩니다.
댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글수정
댓글 수정은 작성 후 1분내에만 가능합니다.
/ 400

내 댓글 모음